薩支唐

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　　福建福州人，美國微電子學家。生于中國北京。50年代初畢業(yè)于美國伊利諾大學，1954年、1956年分別獲美國斯坦福大學碩士、博士學位。1959—1964年先后任美國仙童半導體公司高級成員、物理部主任經(jīng)理，1964—1968年任美國伊利諾大學教授。1988年至今，擔任美國佛羅里達大學電機和電子工程系教授、工學院首席科學家。美國國家工程院院士（1986），臺灣“中研院”院士（1998）。2000年當選為中國科學院外籍院士。

　　圖源：廈大人

　　薩支唐長期致力于半導體器件和微電子學研究，對發(fā)展晶體管、集成電路以及可靠性研究作出了里程碑性質(zhì)的貢獻。他提出了半導體p-n結(jié)中電子—空穴復合理論，開發(fā)了半導體局域擴散的平面工藝和MOS、CMOS場效應晶體管，并提出MOS晶體管理論模型，發(fā)明了探測半導體中微量缺陷的深能級瞬態(tài)譜（DLTS）方法，發(fā)現(xiàn)了氫在硅中對受主雜質(zhì)的鈍化作用。近期致力于亞微米MOS晶體管的可靠性研究。他曾獲半導體工業(yè)協(xié)會（SIA）最高獎（1998年）等多項獎勵。薩支唐是改革開放以后最早與中國進行科技合作與交流的美國科學家之一。他曾多次訪華，作了20余次系列講座，先后指導了12名中國研究生，還多次協(xié)助在中國舉辦國際學術(shù)研討會。